1、光刻和刻蝕技術：半導體材料及集成電路板全過程所使用的光刻及其刻蝕技術性，是生物芯片加工工藝中基本技術手段。該方法選用光刻膠、掩膜和及其紫外線開展精密機械加工，改生產工藝相對比較完善，光刻和刻蝕技術性已廣泛運用于硅基、夾層玻璃及其石英石基芯片薄膜光學生產過程中。光刻和刻蝕技術性由薄膜堆積、光刻和刻蝕三個工藝流程構成。繁雜的微流控結構能通過反復多次薄膜堆積-光刻刻蝕三種加工工藝進行。

    光刻加工工藝前：首先要在潔凈的基片表面遮蓋一層薄膜，薄膜厚度位數埃到幾十微米，這一工藝流程稱作薄膜堆積。薄膜按特性不一樣可以分為元器件工作中區域外延層，限定地區擴張掩蔽部膜，起維護、鈍化處理和絕緣層功效的絕緣介質膜，作為電級弓|線與元器件互聯的導電性陶瓷膜等。薄膜材料普遍有二氧化硅、Si3N4、硼磷硅玻璃、光伏電池、電導率金屬材料、光刻抗蝕膠、難熔金屬等。生產制造生產加工薄膜的重要方式有空氣氧化、干法刻蝕、揮發、磁控濺射等。

    在薄膜表面均勻的遮蓋光刻膠，將掩膜上生物芯片設計圖形根據曝出顯像的基本原理轉移至光黏膠里的工藝流程稱之為光刻。光刻技術性一般有如下基本上工藝流程組成：

    a、基片預備處理：

    根據脫油、拋光、酸洗鈍化、水清洗的辦法使基片的表面凈化處理，保證光刻膠與基片表面具有比較好的黏附特性。

    b、點膠：

    在經過加工的基片表面勻稱涂敷一層黏性好、薄厚適度的光刻膠。膠紙過薄，易生成針眼，抗蝕能力較差；過厚則不容易完全成像，同時還會降低分辨率。光刻膠具體薄厚與它黏度相關，并和甩膠機設備運動速度的平方根反比。點膠方式有轉動涂敷法、刷涂法、浸漬法、噴涂法。

    c、前烘

    在一定的溫度下，使光刻黏劑中有機溶劑蒸發，提高光刻膠與基片黏附及其膠紙的耐磨性能。前烘的溫度和時間由光致抗蝕劑的類型和薄厚確定，多采用電熱恒溫箱、暖空氣或紅外線熱原。

    前烘溫度和時間會適宜，若溫度過大或時間太長會導致成像時留有底膜或光感應敏感度降低，浸蝕時發生海島；若溫度太低或時間太長短，會導致成像后針眼提升，甚至造成浮膠、圖型變型的現象。