微流控芯片制造技術介紹：

    d、曝出

    將剛制取好需要處理芯片圖形光刻掩膜附著在基片上，用紫外光等通過掩膜對光刻膠開展可選擇性直射。受陽光照射的光刻膠發生反應。

    在實際工作中，快門速度由光刻膜、膠紙薄厚、燈源抗壓強度及其燈源與基片間隔確定。曝出的方法有有機化學曝出、觸碰和貼近式打印曝出、光學投影顯像曝出。

    e、成像

    用光膠配套設施顯影液根據化學法去掉經曝出的光膠（正光膠）或沒經曝出的光膠（負光膠），顯影液和成像時長的挑選對成像實際效果的影響很大。挑選顯影液原則就是，對于需要清除的那一部分膠紙溶解性大、融解速度更快，對于需要保存的那一部分溶解性小。成像時長視光致抗蝕劑的類型、膠紙薄厚、顯影液類型、成像溫度和操作步驟而不同。

    f、堅膜

    將成像后基片進行清潔后在一定溫度下烤制，以完全去掉成像后殘余于膠紙里的有機溶劑或水份，使膠紙與基片密切黏附，避免黏膠掉下來，并提升膠紙自身的抗蝕水平。堅膜溫度和時間會適宜。

    g、刻蝕

    蝕刻加工代表著應用基酶化合物（一般是酸）以液態或蒸氣方式蝕刻加工掉（即融解）特點。蝕刻加工一般用于制造玻璃基或硅基微流體處理芯片。最先：應用掩膜遮蓋夾層玻璃或硅基芯片上不應該被蝕刻加工的那一部分。再將部件暴露于蝕刻劑下，清除用于制作生物芯片特點的原材料。蝕刻加工一般是制造玻璃或單晶硅片的唯一方式。

    依據刻蝕劑情況不一樣，可以將浸蝕加工工藝分成濕式刻蝕和干式刻蝕兩類。濕式刻蝕是由有機化學刻蝕液和被刻蝕化學物質之間的化學變化要被刻蝕化學物質脫離出來的刻蝕方式。大部分濕式刻蝕是非常容易掌控的各向異性浸蝕。

    特點是挑選比較高、均勻度好、對單晶硅片損害少，基本上適合所有金屬、夾層玻璃、塑膠等相關材料。主要缺點圖形保真度較弱，橫著腐蝕與此同時，常常會出現側面鉆蝕，以至刻蝕圖形最少線距受限制。

    2、熱壓法

    熱壓法是一種運用較廣泛快速復制電泳原理微通道的芯片制作技巧，適用PMMA與PC等熱塑性聚合物原材料。熱壓法的磨具能是孔徑在50um以內的鐵絲或者刻蝕有凸突的微通道骨片陽膜，如鎳基陽模、光伏電池陽模、夾層玻璃陽模、微機械加工制造金屬陽模。此方法挺大快速復制，機器設備簡易，操作方便，但使用原材料比較有限。